[发明专利]分段式NPN垂直双极晶体管有效
| 申请号： | 201580009877.X | 申请日： | 2015-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106030808B | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 亨利·利茨曼·爱德华兹;阿克拉姆·A·萨勒曼;MD·伊克巴勒·马哈茂德 | 申请（专利权）人： | 德州仪器公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 林斯凯 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在所描述的实例中，一种分段式双极晶体管(100)包含半导体表面(106)中的p‑基极，其包含至少一个p‑基极指状物(140)，所述p‑基极指状物(140)具有包含接触所述p‑基极指状物(140)的所述半导体表面上的硅化物层(159)的基极金属线的基极金属/硅化物堆叠。n+掩埋层(126)在所述p‑基极之下。集电极包含n+沉降区(115)，其从所述半导体表面延伸到所述n+掩埋层(126)，其包含具有集电极金属/硅化物堆叠的集电极指状物，所述集电极金属/硅化物堆叠包含接触所述集电极指状物的所述半导体表面上的硅化物层的集电极金属线。n+射极(150)具有至少一个射极指状物，其包含接触所述射极指状物的所述半导体表面上的所述硅化物层(159)的射极金属/硅化物堆叠。所述射极金属/硅化物堆叠和/或集电极金属/硅化物堆叠包含具有间隙(150c)的分段，其切割金属线和/或所述堆叠的所述硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 段式 npn 垂直 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种分段式双极晶体管，其包括：衬底，其具有半导体表面；所述半导体表面中的p‑基极，其包含至少一个p‑基极指状物，所述p‑基极指状物包含基极金属/硅化物堆叠，所述基极金属/硅化物堆叠包含接触所述p‑基极指状物的所述半导体表面上的硅化物层的基极金属线；n+掩埋层，其在所述半导体表面中的所述p‑基极之下；集电极，其包含横向于所述p‑基极、从所述半导体表面延伸到所述n+掩埋层的n+沉降区扩散，其包含集电极指状物，所述集电极指状物包含集电极金属/硅化物堆叠，所述集电极金属/硅化物堆叠包含接触所述集电极指状物的所述半导体表面上的硅化物层的集电极金属线；以及所述p‑基极的部分内的n+射极，其包含至少一个射极指状物，所述射极指状物包含射极金属/硅化物堆叠，所述射极金属/硅化物堆叠包含接触所述射极指状物的所述半导体表面上的硅化物层的射极金属线；其中所述射极金属/硅化物堆叠包含分段，所述分段包含在所述射极的所述半导体表面上的所述射极金属线中或所述硅化物层中的射极间隙，或所述集电极金属/硅化物堆叠包含分段，所述分段包含在所述集电极指状物的所述半导体表面上的所述集电极金属线中或所述硅化物层中的集电极间隙。
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