[发明专利]结晶性硅片的纹理蚀刻液组合物和纹理蚀刻方法有效
| 申请号： | 201580010188.0 | 申请日： | 2015-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN106062132B | 公开（公告）日： | 2018-06-26 |
| 发明（设计）人： | 林大成;洪亨杓;朴勉奎;崔亨燮 | 申请（专利权）人： | 东友精细化工有限公司 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;C09K13/02 |
| 代理公司： | 北京市中伦律师事务所 11410 | 代理人： | 石宝忠 |
| 地址： | 韩国全*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及结晶性硅片的纹理蚀刻液组合物和纹理蚀刻方法，更具体地，涉及结晶性硅片的纹理蚀刻液组合物和蚀刻方法，其中该组合物包含碱化合物和特定结构的聚乙二醇系化合物，因此在结晶性硅片的表面上微锥形体结构的形成中控制相对于硅结晶方向的蚀刻速度之差，由此防止碱化合物引起的过蚀刻，使每个位置的纹理的品质偏差最小化，导致光效率的增加。 | ||
| 搜索关键词： | 纹理 蚀刻 结晶性 硅片 蚀刻液组合物 碱化合物 聚乙二醇 品质偏差 光效率 硅结晶 过蚀刻 体结构 微锥形 最小化 | ||
【主权项】：
1.结晶性硅片的纹理蚀刻液组合物，其包含碱化合物和下述化学式1的化合物：[化学式1]![]()
式中，R为碳数为1‑6的烷基或苯基，X相互独立地为氢或甲基，y为1‑3的整数，M为碱金属，以及其中，含有所述碱化合物0.5‑5重量％、上述化学式1的化合物0.001‑5重量％和余量的水，其中，所述碱化合物为选自氢氧化钾、氢氧化钠、氢氧化铵、氢氧化四甲铵和氢氧化四乙铵中的至少一个。
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