[发明专利]具有吸除剂层的发光半导体器件有效
| 申请号： | 201580010520.3 | 申请日： | 2015-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN106030938B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | U.维奇曼恩;J.S.科布;A.P.恩格哈德特;H.梅恩奇;M.F.C.谢曼恩 | 申请（专利权）人： | 皇家飞利浦有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183;H01S5/323;H01L21/02;H01L33/00;H01L33/02;H01L33/12;H01L33/10;H01S5/00;H01S5/30;H01S5/343 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张同庆;陈岚 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明描述了一种发光半导体器件（100），包括衬底（120）、发光层结构（155）和用于减少发光层结构（155）中的杂质的AlGaAs吸气剂层（190），发光层结构（155）包括有源层（140）和变化的铝含量的层，其中包括铝的发光层结构（155）的层的生长条件与AlGaAs吸气剂层（190）的生长条件相比是不同的。AlGaAs吸气剂层（190）实现了沉积装备或生长反应器的气相中的比如硫等那样的杂质的浓度的降低。这样的杂质的减少降低了发光层结构（155）中可能影响发光半导体器件（100）的寿命的杂质的合并的概率。生长条件从组砷分压、氧分压、沉积温度、总沉积压力和铝的沉积速率中选择。本发明进一步涉及制造这样的发光半导体器件（100）的对应方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 发光 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种发光半导体器件（100），包括衬底（120）、发光层结构（155）和用于减少发光层结构（155）中的杂质的AlGaAs吸除剂层（190），发光层结构（155）包括有源层（140）和变化的铝含量的层，其中包括铝的发光层结构（155）的层的生长条件与AlGaAs吸除剂层（190）的生长条件相比是不同的，使得AlGaAs吸除剂层（190）内杂质的第一浓度与包括铝的发光层结构（155）的层中杂质的第二浓度相比高至少50%，并且生长条件从组砷分压、氧分压、沉积温度、总沉积压力和铝的沉积速率中选择，其中AlGaAs吸除剂层（190）的铝的沉积速率被选择成使得AlGaAs吸除剂层（190）包括子层，在该子层中铝含量在第一铝含量和与第一铝含量不同的第二铝含量之间以小于0.5%/nm变化。
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