[发明专利]受应力鳍NMOS FinFET的方法和装置

摘要

半导体鳍在基板上，并且在平行于该基板的纵向方向上延伸。该鳍在垂直方向上突出至处于基板上方鳍高度处的鳍顶部。嵌入式鳍应力源元件被嵌入到该鳍中。该鳍应力源元件配置成在该鳍内平行于该垂直方向地施加垂直压缩力。任选地，该半导体材料包括硅，且嵌入式鳍应力源元件包括二氧化硅。

主权项

1.一种受应力鳍FinFET器件，包括：基板；在所述基板上的鳍，所述鳍包括第一垂直壁和第二垂直壁，所述第二垂直壁平行于所述第一垂直壁并且与所述第一垂直壁隔开鳍厚度，所述鳍进一步包括半导体材料并且沿平行于所述基板的纵轴延伸，其中所述鳍在垂直方向上延伸至处于所述基板上方鳍高度处的鳍顶部，其中所述鳍包括鳍基部和鳍有源区，所述鳍基部邻近于所述基板，所述鳍有源区包括源极区、漏极区、和沟道区，所述沟道区在所述源极区与所述漏极区之间；第一嵌入式鳍应力源元件，所述第一嵌入式鳍应力源元件被嵌入在处于所述沟道区下方的所述鳍基部中，其中所述第一嵌入式鳍应力源元件被配置成在所述沟道区的晶格中引入应力，该应力在所述沟道区内平行于所述垂直方向地建立第一垂直压缩力；以及第二嵌入式鳍应力源元件，所述第二嵌入式鳍应力源元件被嵌入在处于所述源极区和所述漏极区中的一者下方的所述鳍基部中，其中所述第二嵌入式鳍应力源元件被配置成在所述源极区和所述漏极区中的所述一者的晶格中引入应力，该应力在所述源极区和所述漏极区中的所述一者内平行于所述垂直方向地建立第二垂直压缩力，其中所述第一嵌入式鳍应力源元件和所述第二嵌入式鳍应力源元件具有基本上等于所述鳍厚度的宽度。