[发明专利]光电子器件和用于制造光电子器件的方法有效

专利信息
申请号: 201580010727.0 申请日: 2015-02-26
公开(公告)号: CN106463640B 公开(公告)日: 2018-06-26
发明(设计)人: M.波普;R.拜斯尔;C.克费斯 申请(专利权)人: 欧司朗OLED股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 卢江;刘春元
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要: 在不同的实施例中提供一种光电子器件(10)。该光电子器件(10)具有载体(12)。在载体(12)上构造有第一电极(20)。有机功能层结构(22)在第一电极(20)上构造。第二电极(23)在有机功能层结构(22)上构造。封装层结构(24)在第二电极(23)上构造。封装层结构(24)封装有机功能层结构(22)。封装层结构(24)具有朝向第二电极(23)的第一层结构(41)和背向第二电极(23)的第二层结构(44)。第一层结构(41)交替地具有拥有第一膨胀系数的第一层(40)和拥有第二膨胀系数的第二层(44)。第一膨胀系数不等于第二膨胀系数。第二层结构(44)交替地具有拥有第三膨胀系数的第三层和拥有第四膨胀系数的第四层。第四膨胀系数不等于第三膨胀系数。
搜索关键词: 膨胀系数 光电子器件 第二电极 有机功能层 第一层 封装层 第一电极 层结构 第三层 封装 制造
【主权项】:
1.一种光电子器件(10),具有:载体(12),在载体(12)上的第一电极(20),在第一电极(20)上的有机功能层结构(22),在有机功能层结构(22)上的第二电极(23),在第二电极(23)上的封装层结构(24),其中封装层结构(24)封装有机功能层结构(22)并且具有朝向第二电极(23)的第一层结构(41)和背向第二电极(23)的第二层结构(44),其中第一层结构(41)交替地具有拥有第一膨胀系数的第一层(40)和拥有与第一膨胀系数不同的第二膨胀系数的第二层(42),并且其中第二层结构(44)交替地具有拥有第三膨胀系数的第三层和拥有与第三膨胀系数不同的第四膨胀系数的第四层,其中第一层结构(41)的与第二电极(23)直接物理接触的层(40、42)关于其膨胀系数与第二电极(23)的膨胀系数适配,其中第一和第二层(40、42)具有硅以及氮、硼、碳和/或氧,以及其中第三和第四层具有稀土氧化物、氧化铝、氧化铪、氧化锌、氧化锆、氧化钛、氧化钽、氧化铟锡或氧化铟锌。
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