[发明专利]在3D NAND存储器结构和相关设备中的隧道氧化层形成的方法

摘要

提供3D NADN存储器结构和相关方法。在一些实施例中，这样的结构可以包括布置在第一绝缘层和第二绝缘层之间的控制栅极材料和浮置栅极材料，布置在浮置栅极材料和控制栅极材料之间的多晶体间电介质（IPD）层，使得IPD层将控制栅极材料与浮置栅极材料电隔离，以及与控制栅极材料相对的沉积在浮置栅极材料上的隧道电介质材料。

主权项

1.一种3D NAND存储器结构，包括：布置在第一绝缘层和第二绝缘层之间的控制栅极材料和浮置栅极材料；布置在控制栅极材料和浮置栅极材料之间的多晶体间电介质IPD层，使得IPD层将控制栅极材料与浮置栅极材料电隔离；和与控制栅极材料相对的沉积在浮置栅极材料上的隧道电介质层，其中所述浮置栅极的沿与所述隧道电介质层的界面的部分被氧化。