[发明专利]压差感测基座在审

专利信息
申请号: 201580010811.2 申请日: 2015-02-27
公开(公告)号: CN106461481A 公开(公告)日: 2017-02-22
发明(设计)人: D.E.瓦格纳;J.H.霍夫曼;K.L.詹尼 申请(专利权)人: 测量专业股份有限公司
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 葛青
地址: 美国弗吉*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种压差传感器包括压力感测基座,压力感测基座包括半导体基座,半导体基座具有形成膜的减薄部分。膜包括压阻元件,其呈现基于施加在膜上的力的变化的阻抗。第一支撑结构连结到半导体基座的第一表面,具有孔,该孔限定为穿过该支撑结构使得膜的第一表面通过该孔而暴露。第二支撑结构连结到半导体基座的相反侧,并且具有与膜的相反侧对齐的孔。与压阻元件电连通的电气部件布置在由第一和第二支撑元件及半导体基座之间的连结部限定的区域之外。油填充的空间可被限定在半导体基座和恶劣的媒介之间,其将流体压力传递至基座,而恶劣的媒介没有接触基座。
搜索关键词: 压差感测 基座
【主权项】:
一种压差感测基座(300),用于测量两种隔离的流体之间的压差,所述压差感测基座包括:半导体感测基座(301),具有上表面(310u)和下表面(310l),并且具有有着第一厚度的第一区域、以及有着第二厚度的第二区域,所述第二厚度小于所述第一厚度,所述第二区域限定膜(313、363),所述膜具有设置于其上的至少一个压阻元件(365),所述至少一个压阻元件响应于所述膜的变形而呈现变化的阻抗;连结到所述半导体基座的上表面的第一支撑结构(351),所述第一支撑结构具有限定为从其通过的孔(307),所述孔适合于将所述膜通过所述第一支撑结构暴露、并且提供与第一半导体基座的上表面的密封;以及连结到所述半导体基座的下表面的第二支撑结构(353),所述第二支撑结构具有限定为从其通过的孔(309),所述孔适合于将所述膜通过所述第二支撑结构暴露。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于测量专业股份有限公司,未经测量专业股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580010811.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top