[发明专利]磁传感器有效

专利信息
申请号: 201580010832.4 申请日: 2015-02-23
公开(公告)号: CN106104828B 公开(公告)日: 2020-07-03
发明(设计)人: 矢野敏史;青建一;古市乔干;安藤康夫;大兼干彦;中野贵文 申请(专利权)人: 株式会社电装;国立大学法人东北大学
主分类号: H01L43/08 分类号: H01L43/08;G01R33/09;H01L43/10
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 徐殿军
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 磁传感器(1)具备磁化固定层(20)、磁场检测层(40)、以及中间层(30)。所述磁化固定层形成为薄膜状,磁化方向被固定为与面内方向平行的方向。所述磁场检测层的磁化方向根据外部磁场而变化。所述中间层被配置在所述磁化固定层与所述磁场检测层之间,且电阻值根据所述磁化固定层的所述磁化方向与所述磁场检测层的所述磁化方向之间的角度而变化。所述磁场检测层的每单位面积的磁化量小于0.2[memu/cm2]。
搜索关键词: 传感器
【主权项】:
一种磁传感器,具备:磁化固定层(20),形成为薄膜状,且磁化方向被固定为与面内方向平行的方向;磁场检测层(40),磁化方向根据外部磁场而变化;以及中间层(30),配置在所述磁化固定层与所述磁场检测层之间,且电阻值根据所述磁化固定层的所述磁化方向与所述磁场检测层的所述磁化方向之间的角度而变化,所述磁场检测层的每单位面积的磁化量小于0.2[memu/cm2]。
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