[发明专利]低噪声放大器电路有效
| 申请号： | 201580010971.7 | 申请日： | 2015-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN106063125B | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | P·希沃南;J·贾西拉;S·维尔奥南 | 申请（专利权）人： | 瑞典爱立信有限公司 |
| 主分类号： | H03F3/193 | 分类号： | H03F3/193;H03F1/22;H03F1/26 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;杨美灵 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 用于将单端输入信号转换为差分输出信号的放大器(300)。该放大器(300)包括第一晶体管(301)、第二晶体管(302)、第三晶体管(303)和第四晶体管(304)。以共源极或共发射极模式配置的第一晶体管(301)接收单端输入信号并且生成差分输出信号的第一部分。以共源极或共发射极模式配置的第二晶体管(302)生成差分输出信号的第二部分。第三和第四晶体管(303，304)电容性交叉耦合。放大器(300)还包括电感退化，使得第一晶体管(301)的源极或发射极连接至第一电感器(321)并且第二晶体管(302)的源极或发射极连接至第二电感器(322)。 | ||
| 搜索关键词： | 低噪声放大器 电路 | ||
【主权项】：
1.一种用于将单端输入信号转换为差分输出信号的低噪声放大器（300），所述放大器（300）包括：第一晶体管（301），以共源极或共发射极模式被配置，以接收所述单端输入信号并且生成所述差分输出信号的第一部分；第二晶体管（302），以共源极或共发射极模式被配置，以生成所述差分输出信号的第二部分；第三晶体管（303）和第四晶体管（304），并且其中所述第三晶体管（303）和所述第四晶体管（304）交叉耦合并且连接至所述第一晶体管和所述第二晶体管（301，302）以使得：所述第一晶体管（301）的漏极或集电极经由第一电容器（311）耦合至所述第四晶体管（304）的栅极或基极；所述第二晶体管（302）的漏极或集电极经由第二电容器（312）耦合至所述第三晶体管（303）的栅极或基极；以及所述第一晶体管（301）的所述漏极或集电极连接至所述第三晶体管（303）的源极或发射极，所述第二晶体管（302）的所述漏极或集电极连接至所述第四晶体管（304）的源极或发射极；并且进一步地所述第一晶体管（301）的所述漏极或集电极直接地或者经由第三电容器（313）耦合至所述第二晶体管（302）的栅极或基极；所述第一晶体管（301）的源极或发射极连接至第一电感器（321）并且所述第二晶体管（302）的源极或发射极连接至第二电感器（322），并且其中所述第一晶体管（301）的栅极或基极通过匹配电路（330）耦合至所述单端输入信号（VIN）。
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