[发明专利]定向FINFET电容器结构有效
| 申请号： | 201580011023.5 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN106104800B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | H·全 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/06;H01L27/08;H01L49/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 李小芳 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种用于在FinFET器件内制造电容器的方法包括图案化具有第一凹槽的第一栅极互连材料(138‑1)。该方法还包括图案化在第一凹槽处耦合至第一栅极互连材料的第一沟槽互连材料(132‑1)以形成FinFET电容性结构的第一极板。 | ||
| 搜索关键词： | 定向 finfet 电容器 结构 | ||
【主权项】：
1.一种在FinFET器件内制造电容性结构的方法，包括：图案化具有第一凹槽的第一栅极互连层；以及图案化第一沟槽互连层以将所述第一沟槽互连层在所述第一凹槽处电耦合至所述第一栅极互连层以形成FinFET电容性结构的第一极板，其中图案化所述第一沟槽互连层包括将所述第一栅极互连层和所述第一沟槽互连层在所述FinFET器件的至少一部分周围布置成环状结构。
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