[发明专利]用于衬底脱气的室有效
| 申请号： | 201580011326.7 | 申请日： | 2015-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN106463435B | 公开（公告）日： | 2019-07-09 |
| 发明（设计）人： | J.维查尔特 | 申请（专利权）人： | 瑞士艾发科技 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 邓雪萌;安文森 |
| 地址： | 瑞士特*** | 国省代码： | 瑞士;CH |
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| 摘要： | 一种用于一批多于一个的工件的加热器或冷却器室，包括，热存储块（1）。在该块中，提供多个穴（2），其中，每个穴（2）可被可控地操作的门关闭或开启。应用加热器或冷却器布置（4）。所述穴（2）被制成以靠近地间隔开的非接触的方式包围被应用于其中的工件。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 衬底 脱气 | ||
【主权项】：
1.一种加热器和/或冷却器室，所述室用于一批多于一个的工件，包括：‑热存储块，由单个金属部件制成或由多于一个热狭窄地联接的金属部件制成，‑所述块构造成限定多于一个穴，‑在每个穴中用于工件的工件支撑件，‑每个穴具有在所述块的表面中的至少一个工件处理开口，‑每个穴被制成以靠近地间隔开的非接触的方式包围被应用在其工件支撑件上的工件；‑所述穴的至少一个工件处理开口中的每个操作性地连接到门，所述门可控地打开和阻碍相应的工件处理开口，‑所述块的加热器和/或冷却器界面，‑被提供在所述块的区分的外部区域中或外部区域处的加热器和/或冷却器装置，所述界面是所述块的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
