[发明专利]有机薄膜晶体管及其制造方法有效
申请号: | 201580011384.X | 申请日: | 2015-02-26 |
公开(公告)号: | CN106104809B | 公开(公告)日: | 2019-05-21 |
发明(设计)人: | 泷泽裕雄;新居辉树;米久田康智;吉田隼人 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L29/786 | 分类号: | H01L29/786;C07F7/08;H01L21/336;H01L51/05;H01L51/30;H01L51/40 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 庞东成;张志楠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种有机薄膜晶体管及有机薄膜晶体管的制造方法。本发明的有机薄膜晶体管在基板上具有栅极电极、有机半导体层、栅极绝缘层、源极电极及漏极电极,有机半导体层含有有机半导体及嵌段共聚物,嵌段共聚物为选自苯乙烯‑(甲基)丙烯酸酯嵌段共聚物等特定的嵌段共聚物中的至少一种或发生相分离;具备含有相分离的嵌段共聚物的有机半导体的有机薄膜晶体管的制造方法中,涂布含有有机半导体及嵌段共聚物的涂布液并进行成膜,对所得的膜进行加热而使嵌段共聚物进行自组织化。 | ||
搜索关键词: | 有机 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有机薄膜晶体管,在基板上具有栅极电极、有机半导体层、设于所述栅极电极与所述有机半导体层之间的栅极绝缘层、以及与所述有机半导体层接触而设置且经由所述有机半导体层而连结的源极电极及漏极电极,所述有机半导体层含有有机半导体及嵌段共聚物,所述嵌段共聚物为选自苯乙烯‑(甲基)丙烯酸酯嵌段共聚物、苯乙烯‑(甲基)丙烯酸嵌段共聚物、苯乙烯‑二烷基硅氧烷嵌段共聚物、苯乙烯‑烷基芳基硅氧烷嵌段共聚物、苯乙烯‑二芳基硅氧烷嵌段共聚物、苯乙烯‑倍半硅氧烷取代(甲基)丙烯酸烷基酯嵌段共聚物、(甲基)丙烯酸酯‑倍半硅氧烷取代(甲基)丙烯酸烷基酯嵌段共聚物、苯乙烯‑乙烯基吡啶嵌段共聚物、苯乙烯‑羟基苯乙烯嵌段共聚物、苯乙烯‑环氧乙烷嵌段共聚物及乙烯基萘‑(甲基)丙烯酸酯嵌段共聚物中的至少一种嵌段共聚物。
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