[发明专利]聚硅氧烷共聚物以及含有其的抗静电剂和树脂组合物有效

专利信息
申请号: 201580011487.6 申请日: 2015-03-17
公开(公告)号: CN106062044B 公开(公告)日: 2019-11-26
发明(设计)人: 山田哲郎;吉川裕司;石井祐典;今泉晓 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社;广荣化学工业株式会社
主分类号: C08G77/26 分类号: C08G77/26;C08G77/30;C08L33/00;C08L69/00;C08L83/04;C08L101/00;C09K3/16
代理公司: 11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 杜丽利<国际申请>=PCT/JP2015
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供对于树脂能够赋予高抗静电性、具有可耐受在树脂中的熔融混炼时的高温的良好的耐热性、能够制造具有作为光学用粘合剂实用的强度特性的有机硅树脂的聚硅氧烷共聚物。聚硅氧烷共聚物,其通过将由式(1)表示的鎓盐、由式(2)表示的三烷氧基硅烷、和作为任选成分的由式(3)表示的二烷氧基硅烷共聚而得到。
搜索关键词: 聚硅氧烷 共聚物 以及 含有 抗静电 树脂 组合
【主权项】:
1.聚硅氧烷共聚物,其通过将由式(1)表示的鎓盐、由式(2)表示的三烷氧基硅烷、和由式(3)表示的二烷氧基硅烷共聚而得到:/n式(1):/n /n式中,Q+表示磷阳离子,R1表示碳数1~3的烷基,R2~R4表示碳数1~8的烷基,R2与R3可以在末端相互结合而形成吡咯烷环、哌啶环、吡啶环、磷杂环戊烷环、磷杂环己烷环或磷杂苯环,其中,R2与R3在末端相互结合而形成吡啶环或磷杂苯环的情况下R4不存在,X-表示阴离子,n为0~3的整数,/n式(2):/n[化2]/nR5-Si(OR6)3 (2)/n式中,R5表示碳数1~10的烷基、碳数6~10的芳基、碳数7~10的芳烷基、或碳数2~8的烯基,R6表示碳数1~3的烷基,/n式(3):/n[化3]/n /n式中,R7表示碳数1~10的烷基、碳数6~10的芳基、或碳数7~10的芳烷基,R8表示碳数1~3的烷基。/n
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