[发明专利]形成集成电路的方法及相关的集成电路有效
| 申请号： | 201580011709.4 | 申请日： | 2015-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN106463522B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 张文甲;王冰;张利;朱兆旻;尤尔根·米歇尔;蔡树仁;白俐翾;谢小明;永坚·K·李 | 申请（专利权）人： | 麻省理工学院;新加坡国立大学;南洋理工大学 |
| 主分类号： | H01L27/15 | 分类号： | H01L27/15;G02B6/12;H01L27/00;H01L31/12 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 智云<国际申请>=PCT/SG2015/ |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种形成集成电路的方法(100)。该方法包括：i)由设置在一半导体基底上的至少一第一晶圆材料形成至少一对光电器件，所述第一晶圆材料不同于硅；ii)刻蚀所述第一晶圆材料以形成一第一凹槽，供一第二材料填充；iii)处理(104)所述第二材料以形成用于耦接所述至少一对光电器件的一波导，从而定义一光学互连件；以及iv)将具有至少一个晶体管的至少一个经部分处理的CMOS器件层与所述第二半导体基底相键合(106)，以形成集成电路，该经部分处理的CMOS器件层与该光学互连件邻近设置。还公开了一种集成电路。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 集成电路 方法 相关 | ||
【主权项】：
1.一种形成集成电路的方法，其特征在于，包括：/ni)由设置在一半导体基底上的至少一第一晶圆材料形成至少第一和第二光电器件，所述第一晶圆材料不同于硅；/nii)刻蚀所述第一晶圆材料以形成第一凹槽，供一第二晶圆材料填充；/niii)处理所述第二晶圆材料以形成用于耦接所述第一和第二光电器件的一波导，从而定义一光学互连件，由此形成一光子式晶圆；以及/niv)将具有至少一个晶体管的至少一个经部分处理的CMOS器件层键合于所述光子式晶圆上，其中，所述光子式晶圆的所述光学互连件设置于该经部分处理的CMOS器件层的下方。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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