[发明专利]外延晶圆的制造方法及外延生长用硅系基板有效
| 申请号： | 201580011736.1 | 申请日： | 2015-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN106068547B | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 萩本和德;篠宫胜;土屋庆太郎;后藤博一;佐藤宪;鹿内洋志;小林昇一;栗本宏高 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/02;C23C16/34;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 谢顺星;张晶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明为一种外延晶圆的制造方法，该外延晶圆在硅系基板上具有外延层，该外延晶圆的制造方法的特征在于，在对所述硅系基板的外周部进行平台加工后，使半导体层在所述硅系基板上外延生长。由此，提供一种在硅系基板上具有外延层的外延晶圆的制造方法，该外延晶圆的制造方法能够获得一种完全无裂痕的外延晶圆。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 制造 方法 生长 用硅系基板 | ||
【主权项】：
1.一种外延晶圆的制造方法，该外延晶圆在硅系基板上具有外延层，该外延晶圆的制造方法的特征在于，在利用由磨石所实施的磨削对所述硅系基板的外周部在不改变外径的前提下，平坦地去除宽度1mm以上、深度3μm以上的该外周部，并使磨削后的平台面成为镜面或准镜面之后，使半导体层在所述硅系基板上外延生长，在成为镜面或准镜面的所述平台面上直接形成多晶半导体层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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