[发明专利]用于控制准分子激光退火的监测方法和装置

摘要

公开了一种对通过用准分子激光脉冲进行辐射而结晶的硅层(22)进行评价的方法。所述结晶根据层所暴露的脉冲的数量和脉冲中的能量密度ED而在结晶层上产生周期性特征。使用光(29)照明层的区域。由于周期性特征而从照明区衍射的光形成照明区域的显微图像。显微图像包括相应的周期性特征。通过测量显微图像中周期性特征的对比从而确定ED。

主权项

一种用于评价半导体层的方法，其中所述的半导体层是通过以下过程至少部分结晶的：在所述的层上暴露于具有能量密度的大量的激光‑辐射脉冲；在第一方向上，在所述的层上产生第一组周期性表面特征的结晶，并且在垂直于所述的第一方向的第二方向上，产生第二组周期性特征的结晶；根据所述的半导体层所暴露的激光‑辐射脉冲的能量密度，形成第一组和第二组周期性特征；所述的方法包括：照明所述的结晶半导体层的区域；在由所述的照明的区域衍射的光中，通过所述的第一组和所述的第二组周期性特征记录所述的照明的区域的显微图像，所述的所记录的图像包含分别相当于所述的层的照明区域中第一组和第二组周期性特征的、水平组和垂直组的周期性图像特征；以及由所述的水平组和所述的垂直组的周期性图像特征的至少一者的对比量度来测定能量密度。