[发明专利]纯八氯三硅烷和十氯四硅烷的制备方法在审
| 申请号： | 201580011807.8 | 申请日： | 2015-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN106458611A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | J·马里纳斯佩雷斯;H·劳莱德;J·E·朗;C·格茨;G·于伦布鲁克 | 申请（专利权）人： | 赢创德固赛有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107;B01J19/02;B01J19/08;C01G17/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 邵长准;林森 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 德国;DE |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及三‑和/或四硅化合物或者三‑和/或四锗化合物的制备方法，其中使硅化合物的混合物或锗化合物的混合物暴露于非热等离子体，和使所得的相经受至少一次真空精馏和过滤。 | ||
| 搜索关键词： | 纯八氯三 硅烷 十氯四 制备 方法 | ||
【主权项】：
通式为Si3X8和/或Si4X10的三‑和/或四硅化合物或通式为Ge3X8和/或Ge4X10的三‑和/或四锗化合物的制备方法，a)其中通式为Sin(R1...R2n+2)的硅化合物的混合物或通式为Gen(R1...R2n+2)的锗化合物的混合物其中n≥2，而R1至R2n+2对应于氢和/或X和X＝卤素，和该卤素选自氯、溴和/或碘，暴露于非热等离子体中，和b)所得的相经受至少一次真空精馏和过滤，其中获得通式为Si3X8或Si4X10的硅化合物或通式为Ge3X8或Ge4X10的锗化合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于赢创德固赛有限公司，未经赢创德固赛有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580011807.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
