[发明专利]微热板上的基于CMOS的半导体设备及其制造方法有效
| 申请号： | 201580011862.7 | 申请日： | 2015-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN106164661B | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | F·乌德雷亚;S·Z·阿里;J·加德纳 | 申请（专利权）人： | AMS传感器英国有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/14 | 分类号： | G01N27/14;H05B3/26 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 金旭鹏;肖冰滨 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开了半导体设备和制造半导体设备的方法。半导体设备使用部分CMOS或基于CMOS的处理步骤制成，且其包括半导体衬底、在半导体衬底上的电介质区域、电介质区域内的加热器和电介质区域上的贵金属的图案化层。该方法包括：在电介质区域上沉积光阻材料，以及图案化光阻材料以形成电介质区域上的图案化区域。沉积光阻材料和图案化光阻材料的步骤可以使用与在CMOS工艺中使用的类似的光刻和蚀刻步骤按顺序执行。然后对得到的半导体设备进行进一步处理步骤，其保证电介质膜和该膜内的金属结构在电介质区域上的图案化区域中被形成。 | ||
| 搜索关键词： | 微热板上 基于 cmos 半导体设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造微热板的方法，该微热板包括半导体衬底、在该半导体衬底上的电介质区域、在该电介质区域内的电阻加热器，该方法包括：使用互补金属氧化物半导体CMOS兼容处理步骤形成所述半导体衬底、所述电介质区域和所述电阻加热器；使用所述CMOS兼容处理步骤在所述电介质区域上沉积光阻材料；使用所述CMOS兼容处理步骤图案化所述光阻材料以在所述电介质区域上形成图案化区域；蚀刻所述半导体衬底的至少一部分以形成电介质膜，其中按顺序执行沉积所述光阻材料的步骤、图案化所述光阻材料的步骤和蚀刻所述半导体衬底的所述部分的步骤；以及对所述电介质膜进行进一步处理，以保证金属结构被沉积在所述电介质区域上的所述图案化区域中。
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