[发明专利]窄半导体结构的离子植入技术在审
| 申请号： | 201580012194.X | 申请日： | 2015-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106068566A | 公开（公告）日： | 2016-11-02 |
| 发明（设计）人： | 安德鲁·M·怀特;克理帕南·维伟克·理奥 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种处理半导体装置的方法包含：对薄晶体半导体结构执行包括第一离子的第一离子植入，第一离子剂量将所述薄晶体半导体结构的第一区域非晶化；对至少所述薄晶体半导体结构的所述第一区域执行包括掺杂剂物质的掺杂剂离子的第二离子植入；以及在所述第一植入之后，执行所述半导体装置的至少一次退火，其中在所述第一植入和所述第二植入与所述至少一次退火之后，所述薄晶体半导体结构形成不具有缺陷的单晶区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 离子 植入 技术 | ||
【主权项】：
一种处理半导体装置的方法，包括：对薄晶体半导体结构执行包括第一离子的第一离子植入，所述第一离子植入将所述薄晶体半导体结构的第一区域非晶化；对至少所述薄晶体半导体结构的所述第一区域执行包括掺杂剂物质的掺杂剂离子的第二离子植入；以及在所述第一植入之后，执行所述半导体装置的至少一次退火，其中在所述第一植入和所述第二植入与所述至少一次退火之后，所述薄晶体半导体结构形成不具有缺陷的单晶区域。
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