[发明专利]脱模膜、其制造方法以及半导体封装体的制造方法有效
| 申请号： | 201580012240.6 | 申请日： | 2015-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN106104776B | 公开（公告）日： | 2019-08-27 |
| 发明（设计）人： | 笠井涉;铃木政己 | 申请（专利权）人： | AGC株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;B29C33/68;B29C43/18;B29C45/14;B32B27/00;B32B27/18 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 胡烨;刘多益 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供不易发生带电和卷曲、不污损模具、且模具顺应性优良的脱模膜，该脱模膜的制造方法，以及使用了所述脱模膜的半导体封装体的制造方法。该脱模膜是在将半导体元件配置于模具内、用固化性树脂密封来形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具中与固化性树脂接触的面的脱模膜，其具有在树脂密封部形成时与固化性树脂接触的第1热塑性树脂层、在树脂密封部形成时与模具接触的第2热塑性树脂层、配置于第1热塑性树脂层与第2热塑性树脂层之间的中间层，第1热塑性树脂层和第2热塑性树脂层各自在180℃时的储能模量为10～300MPa，在25℃时的储能模量的差值在1200MPa以下，厚度为12～50μm，中间层包含含有高分子类防静电剂的层。 | ||
| 搜索关键词： | 脱模 制造 方法 以及 半导体 封装 | ||
【主权项】：
1.脱模膜，它是在将半导体元件配置于模具内、用固化性树脂密封来形成树脂密封部的半导体封装体的制造方法中配置于模具的与所述固化性树脂接触的面的脱模膜，其特征在于，具有在所述树脂密封部形成时与固化性树脂接触的第1热塑性树脂层、在所述树脂密封部形成时与模具接触的第2热塑性树脂层、配置于第1热塑性树脂层与第2热塑性树脂层之间的中间层，所述第1热塑性树脂层和所述第2热塑性树脂层各自在180℃时的储能模量为10～40MPa，在25℃时的储能模量的差值在1200MPa以下，厚度为12～50μm，所述中间层包含含有高分子类防静电剂的层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
