[发明专利]等离子体处置系统

摘要

在等离子体处置系统中，对导电性溶液的灌注层的温度进行探测的温度探测部固定于处置部且位于在第一电极部和第二电极部浸在了所述灌注层中的状态下浸在所述灌注层中的位置。在所述等离子体处置系统中，控制部基于所述温度探测部的探测结果来对由温度调整单元进行的温度的调整和所述导电性溶液的供给量及吸引量进行控制，从而调整所述灌注层中的所述导电性溶液的温度，使得成为所述灌注层的所述温度在目标的温度范围的状态。

主权项

1.一种等离子体处置系统，具备：供给路径，该供给路径上形成有用于喷出导电性溶液的喷出口，该供给路径向所述喷出口供给所述导电性溶液；吸引路径，该吸引路径上形成有用于吸引所述导电性溶液的吸引口，该吸引路径通过吸引所述导电性溶液来形成从所述喷出口朝向所述吸引口的所述导电性溶液的灌注层；处置部，其具备第一电极部和以相对于所述第一电极部的相对位置不发生变化的状态设置的第二电极部，通过向浸在了所述灌注层中的状态下的所述第一电极部和所述第二电极部传递高频能量来使所述灌注层中产生等离子体，从而对处置对象进行处置；高频能量源，其能够输出向所述第一电极部和所述第二电极部传递的所述高频能量；温度调整单元，其在从所述喷出口喷出之前调整所述导电性溶液的温度；温度探测部，其固定于所述处置部且位于在所述第一电极部和所述第二电极部浸在了所述灌注层中的状态下浸在所述灌注层中的位置，在浸在了所述灌注层中的状态下探测所述灌注层的温度；控制部，其基于所述温度探测部的探测结果来对由所述温度调整单元进行的所述导电性溶液的所述温度的调整进行控制，使得成为所述灌注层的所述温度在目标的温度范围的状态，并且对经过所述供给路径被供给的所述导电性溶液的供给量和经过所述吸引路径被吸引的所述导电性溶液的吸引量进行控制；目标设定部，其设定成为所述灌注层的目标的所述温度范围；供给量探测部，其对经过所述供给路径被供给的所述导电性溶液的所述供给量进行探测；吸引量探测部，其对已从所述喷出口喷出的所述导电性溶液的经过所述吸引路径的所述吸引量进行探测；以及运算处理部，其基于所述供给量探测部的探测结果和所述吸引量探测部的探测结果，来计算所述灌注层中的所述导电性溶液的灌注液体量，其中，所述控制部在检测出使所述高频能量源输出所述高频能量的能量操作的输入时，基于所述灌注层的温度的所述探测结果，来对有无从所述高频能量源输出所述高频能量或者所述高频能量的输出状态进行控制，所述目标设定部基于计算出的所述灌注液体量来设定成为所述目标的所述温度范围。