[发明专利]变换器电路

摘要

公开的是一种具有变换器桥、储能电路和整流器电路的DC‑DC变换器。在一个实施例中，变换器桥包括多个开关电路，其利用碳化硅MOSFET（半导体场效应晶体管上金属）形成，并且配置为提供初级电流。储能电路包括谐振电容、谐振电感、以及具有初级、第一次级和第二次级的变压器。储能电路配置为接收初级电流，并且变压器与磁化电感相关联。储能电路的谐振频率大于大约225千赫兹，如基本上由磁化电感、谐振电容和谐振电感所限定的那样。整流器电路耦合到第一次级和第二次级线圈，并且适配为提供经整流的输出电流。

主权项

1.一种DC‑DC变换器，包括：· 变换器桥，包括配置为提供初级电流的多个开关电路并且包括碳化硅SiC金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET；· 储能电路，包括谐振电容、谐振电感、以及具有初级、第一次级和第二次级的变压器，并且配置为接收初级电流，其中变压器与磁化电感相关联，并且储能电路的谐振频率大于大约225千赫兹，如基本上由磁化电感、谐振电容和谐振电感所限定的那样；以及· 具有碳化硅SiC二极管的整流器电路，所述整流器电路耦合到第一次级和第二次级并且适配成提供经整流的输出电流，其中所述碳化硅SiC金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET和所述整流器电路的碳化硅SiC二极管被配置为在大约650伏特和大约850伏特之间的输入电压处提供处于5千瓦和20千瓦之间的输出功率。