[发明专利]具有垂直磁各向异性的MTJ结构在审
申请号: | 201580012712.8 | 申请日: | 2015-01-29 |
公开(公告)号: | CN106463609A | 公开(公告)日: | 2017-02-22 |
发明(设计)人: | 洪镇杓;李*傧 | 申请(专利权)人: | 汉阳大学校产学协力团 |
主分类号: | H01L43/02 | 分类号: | H01L43/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 张海涛;于辉 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种具有垂直磁各向异性(PMA)的磁隧道结(MTJ)结构。所述MJT结构包括含有钨基物质的籽晶层,位于所述籽晶层上的包含硼基铁磁材料且具有PMA的第一铁磁层,位于所述第一铁磁层上的隧穿势垒层,以及位于所述隧穿势垒层上且具有PMA的第二铁磁层,其中籽晶层的厚度为1nm‑10nm。相应地,通过使用钨基物质为种子物质,可提供所述MTJ结构,其中即使在350℃‑400℃的高温下可保持其第一铁磁层的结晶性,避免了PMA减少的问题,且因此改善了热稳定性。 | ||
搜索关键词: | 具有 垂直 各向异性 mtj 结构 | ||
【主权项】:
一种具有垂直磁各向异性(PMA)的磁隧道结(MTJ)结构,其包括:籽晶层,其含有钨基材料;第一铁磁层,其位于所述籽晶层上,所述第一铁磁层包含硼基铁磁材料且具有PMA;隧穿势垒层,其位于所述第一铁磁层上;以及第二铁磁层,其位于所述隧穿势垒层上且具有PMA,其中所述籽晶层的厚度为1nm‑10nm。
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