[发明专利]其中限定有间隙的半导体器件有效
| 申请号： | 201580012747.1 | 申请日： | 2015-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN106104807B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | J·J·徐;K·利姆;J·J·朱;S·S·宋;M·巴达罗格鲁;V·马赫卡奥特桑;D·杨;C·F·耶普 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在特定实施例中，一种方法包括在半导体器件的虚栅极上形成第一分隔件结构，以及在第一分隔件结构上形成牺牲分隔件。该方法还包括蚀刻半导体器件的结构以创建开口，经由开口移除牺牲分隔件，以及沉积材料以闭合来限定间隙。 | ||
| 搜索关键词： | 其中 限定 间隙 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成半导体器件的方法，包括：在半导体器件的虚栅极上形成第一分隔件结构；在所述第一分隔件结构上形成牺牲分隔件；蚀刻结构和创建开口，其中所述结构包括鳍的一部分，并且其中蚀刻所述结构包括移除所述鳍与所述牺牲分隔件接触的一部分；以及经由所述开口移除所述牺牲分隔件并沉积材料以闭合所述开口从而限定间隙。
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