[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201580013007.X | 申请日： | 2015-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106104810A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 锦博彦;笹仓朗;冈部达 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;徐飞跃 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体器件具备薄膜晶体管(100)，薄膜晶体管(100)包括衬底(1)、设置在衬底(1)上的栅极电极(3)、形成在栅极电极(3)上的栅极绝缘层(5)、形成在栅极绝缘层(5)上的岛状的氧化物半导体层(7)、以覆盖氧化物半导体层(7)的上表面(7u)和整个侧面(7e)的方式设置并且具有仅使氧化物半导体层(7)的上表面(7u)的一部分露出的单个开口部(9p)的保护层(9)、在单个开口部(9p)内与氧化物半导体层(7)分别接触的源极电极(11)和漏极电极(13)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具备薄膜晶体管的半导体器件，其特征在于：所述薄膜晶体管包括：衬底；设置在所述衬底上的栅极电极；形成在所述栅极电极上的栅极绝缘层；形成在所述栅极绝缘层上的岛状的氧化物半导体层；以覆盖所述氧化物半导体层的上表面和整个侧面的方式设置，并且具有仅使所述氧化物半导体层的所述上表面的一部分露出的单个开口部的保护层；和在所述单个开口部内与所述氧化物半导体层分别接触的源极电极和漏极电极。
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