[发明专利]半导体激光装置

摘要

本发明所涉及的半导体激光装置具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θ_s(＞4°)的激光的活性层沿着慢轴方向被并列设置而成；第1光学元件，在第1反射面上反射向慢轴方向的一方侧行进的第1部分光并使之返回到活性层；第2光学元件，在第2反射面上反射向慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光并使之返回到活性层；第1光学元件以第1反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于(θ_s/2)的角度的形式进行配置，第2光学元件以第2反射面相对于与活性层的光轴方向相垂直的面成大于(‑θ_s/2)且‑2°以下的角度的形式进行配置。

主权项

1.一种半导体激光装置，其特征在于：具备：半导体激光阵列，出射慢轴方向的发散角为θ_s的激光的多个活性层沿着所述慢轴方向并列设置而成，其中，θ_s＞4°；准直透镜，在与所述慢轴方向相垂直的面内对从所述活性层的各个出射的激光进行准直；第1光学元件，在第1反射面上反射从所述准直透镜出射的激光的各个向所述慢轴方向的一方侧行进的第1部分光，并经由所述准直透镜返回到所述活性层的各个；以及第2光学元件，在第2反射面上反射从所述准直透镜出射的激光的各个向所述慢轴方向的另一方侧行进的第2部分光的多个模式光中的一部分的模式光，并经由所述准直透镜返回到所述活性层的各个，所述第1光学元件以所述第1反射面相对于与所述活性层的光轴方向相垂直的面成2°以上且小于θ_s/2的角度的形式进行配置，所述第2光学元件以所述第2反射面相对于与所述活性层的光轴方向相垂直的面成大于‑θ_s/2且‑2°以下的角度的形式进行配置，所述第2光学元件以在所述第2反射面上反射所述第2部分光的多个模式光中的零次模式光并且经由所述准直透镜返回到所述活性层的各个的形式被配置于所述零次模式光的光路上，所述第2光学元件的所述第2反射面以成为窄于所述第2部分光的宽度的宽度的方式形成，所述第2光学元件的所述第2反射面配置于所述第2部分光的宽度方向的大致中央。