[发明专利]使用跨导(gm)负反馈的低噪声和低功率压控振荡器(VCO)有效
| 申请号： | 201580013198.X | 申请日： | 2015-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN106105024B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | T·C·阮;J·杨;P·T·布罗肯布劳格;A·比卡科西;A·萨弗拉;S·王 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H03B5/12 | 分类号： | H03B5/12 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本公开的某些方面通常涉及使用与传统VCOs相比降低或可调负跨导(‑gm)的压控振荡器(VCOs)。该‑gm负反馈技术抑制噪声注入VCO的电感器‑电容器(LC)储能电路中，由此对于给定VCO电压摆幅提供了较低的信噪比(SNR)，较低的功耗，以及降低的相位噪声。一个示例性VCO通常包括谐振槽电路，与谐振槽电路链接的有源负跨导电路，以及用于拉或灌偏置电流通过谐振槽电路和有源负跨导电路以产生振荡信号的偏置电流电路。有源负跨导电路包括交叉耦合的晶体管，以及连接在交叉耦合晶体管与参考电压之间的阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 gm 负反馈 噪声 功率 压控振荡器 vco | ||
【主权项】：
1.一种压控振荡器VCO，包括：谐振槽电路；有源负跨导电路，与所述谐振槽电路连接，包括：交叉耦合的晶体管，包括与所述谐振槽电路连接的漏极；以及阻抗，被连接在所述交叉耦合的晶体管的源极与参考电压之间；以及偏置电流电路，用于拉或灌偏置电流通过所述谐振槽电路和所述有源负跨导电路以产生振荡信号。
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