[发明专利]用于精确光致抗蚀剂轮廓预测的模型

摘要

一种光致抗蚀剂模型化系统包含用于光刻工艺的数学模型。可使用计算机处理器执行所述数学模型。所述数学模型可用于将光致抗蚀剂模型化为形成于半导体晶片表面上。嵌段聚合物浓度梯度方程式可实施到所述数学模型中。所述嵌段聚合物浓度梯度方程式可描述由所述数学模型模型化的所述光致抗蚀剂中的嵌段聚合物的初始浓度梯度。

主权项

1.一种光致抗蚀剂模型化系统，其包括：计算机，其包括处理器；存储器，其耦合到所述处理器并存储可由所述处理器执行的一个或多个程序指令：提供用于光刻工艺的一个或多个工艺参数给存储在所述程序指令中的数学模型，所述光刻工艺用于将光致抗蚀剂形成于半导体晶片表面上，其中所述光致抗蚀剂包括至少一个嵌段聚合物，且其中所述工艺参数中的至少一者包括在所述光致抗蚀剂中嵌段聚合物的浓度；实施用于所述光刻工艺的所述数学模型，其中所述数学模型用于模型化使用所述光刻工艺而形成于所述半导体晶片表面上的所述光致抗蚀剂，其中嵌段聚合物浓度梯度方程式实施到所述数学模型中，且其中所述嵌段聚合物浓度梯度方程式描述由所述数学模型模型化的所述光致抗蚀剂中的嵌段聚合物的浓度梯度，所述嵌段聚合物浓度梯度方程式描述所述嵌段聚合物的所述浓度梯度可随从所述光致抗蚀剂的界面到所述半导体晶片表面的距离、浓度减小的分率及所述减小的深度而变；评估形成于所述半导体晶片表面上的所述光致抗蚀剂的经模型化的光致抗蚀剂轮廓；及基于所述经模型化的光致抗蚀剂轮廓的所述评估，通过调整所述光刻工艺的一个或多个工艺参数，控制形成于所述半导体晶片表面上时的所述光致抗蚀剂的光致抗蚀剂轮廓。