[发明专利]氧等离子体蚀刻用抗蚀材料、抗蚀膜和使用抗蚀膜的层叠体

摘要

本发明提供一种氧等离子体蚀刻用抗蚀材料，其特征在于，是一种含有复合树脂(A)的干式蚀刻用抗蚀材料，上述复合树脂(A)具有聚硅氧烷链段(a1)和乙烯基系聚合物链段(a2)，上述聚硅氧烷链段(a1)具有通式(1)和/或通式(2)表示的结构单元以及硅烷醇基和/或水解性甲硅烷基，该氧等离子体蚀刻用抗蚀材料的总固体成分量中的硅原子的含量为15～45wt％。

主权项

一种氧等离子体蚀刻用抗蚀材料，其特征在于，是含有复合树脂(A)的干式蚀刻用抗蚀材料，所述复合树脂(A)是聚硅氧烷链段(a1)与乙烯基系聚合物链段(a2)介由通式(3)表示的键进行键合而成的，其中，所述聚硅氧烷链段(a1)具有通式(1)和/或通式(2)表示的结构单元以及硅烷醇基和/或水解性甲硅烷基，该氧等离子体蚀刻用抗蚀材料的总固体成分量中的硅原子的含量为15～45wt％，通式(1)和(2)中，R¹、R²和R³各自独立地表示具有选自‑R⁴‑CH＝CH₂、‑R⁴‑C(CH₃)＝CH₂、‑R⁴‑O‑CO‑C(CH₃)＝CH₂和‑R⁴‑O‑CO‑CH＝CH₂中的1个聚合性双键的基团、碳原子数为1～6的烷基、碳原子数为3～8的环烷基、芳基或者碳原子数为7～12的芳烷基，且R¹、R²和R³中至少一个为具有聚合性双键的基团，其中，R⁴表示单键、芳基或者碳原子数1～6的亚烷基，通式(3)中，碳原子构成所述乙烯基系聚合物链段(a2)的一部分，仅与氧原子键合的硅原子构成所述聚硅氧烷链段(a1)的一部分。