[发明专利]SiC单晶的制造方法在审
| 申请号： | 201580013867.3 | 申请日： | 2015-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN106103815A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | 关和明;楠一彦;龟井一人 | 申请（专利权）人： | 新日铁住金株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/10;C30B19/12 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 利用溶液生长法制造SiC单晶时，维持贯通螺旋位错向齿侧面型层叠缺陷的转化率，提高贯通刃状位错向基底面位错的转化率。本发明的实施方式的SiC单晶的制造方法具备：将坩埚(14)内的原料加热熔融，生成SiC溶液(15)的工序；和使SiC籽晶(24)的晶体生长面(24A)与SiC溶液接触，使SiC单晶在晶体生长面上生长的工序。SiC籽晶的晶体结构为4H多晶型。晶体生长面的偏离角为1°以上且为4°以下。使SiC单晶生长时的SiC溶液的温度为1650℃以上且为1850℃以下。使SiC单晶生长时，SiC溶液中，SiC籽晶的正下方的温度梯度大于0℃/cm且为19℃/cm以下。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC单晶的制造方法，其为利用溶液生长法的SiC单晶的制造方法，其具备：将坩埚内的原料加热熔融，生成SiC溶液的生成工序；和使SiC籽晶的晶体生长面与所述SiC溶液接触，使所述SiC单晶在所述晶体生长面上生长的生长工序，所述SiC籽晶的晶体结构为4H多晶型，所述晶体生长面的偏离角为1°以上且为4°以下，所述生长工序中，使所述SiC单晶生长时的所述SiC溶液的温度为1650℃以上且为1850℃以下，并且使所述SiC单晶生长时，所述SiC溶液中，所述SiC籽晶的正下方的温度梯度大于0℃/cm且为19℃/cm以下。
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