[发明专利]生长在Si衬底上的ErAlN缓冲区上的III-N材料有效
| 申请号： | 201580013973.1 | 申请日： | 2015-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106575601B | 公开（公告）日： | 2020-06-23 |
| 发明（设计）人： | 吕蒂斯·达吉斯;安德鲁·克拉克;南·范;埃德姆·阿尔昆 | 申请（专利权）人： | IQE公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L29/20;H01L29/36 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 高健;缑正煜 |
| 地址： | 英国南*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供了生长在衬底上的缓冲区上的III‑N材料，其包括单晶硅或单晶蓝宝石中的一种。包括Er |
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| 搜索关键词： | 生长 si 衬底 eraln 缓冲区 iii 材料 | ||
【主权项】：
在衬底上的缓冲区上生长的III‑N材料，其包含：单晶硅或单晶蓝宝石衬底中的一种；位于所述衬底上的单晶合金的缓冲区，所述单晶合金包括ErxAl1‑xN或(RE1yRE21‑y)xAl1‑xN中的一种；位于所述缓冲区表面上的单晶III‑N材料层，所述III‑N材料具有晶格常数；且所述单晶合金具有与所述单晶III‑N材料层基本上晶格匹配的晶格常数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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