[发明专利]太阳能电池背面上的导电聚合物/Si界面在审
| 申请号： | 201580014088.5 | 申请日： | 2015-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106575675A | 公开（公告）日： | 2017-04-19 |
| 发明（设计）人： | J·施密特;D·齐尔克 | 申请（专利权）人： | 太阳能研究所股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0236;H01L31/068;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人： | 李颖,林柏楠 |
| 地址： | 德国埃*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及包含p‑型硅或n‑型硅基底(2)的太阳能电池(1)，其中基底(2)包含‑正面(2a)，其表面至少部分地被至少一个钝化层(3)覆盖，和‑背面(2b)，其中‑基底(2)的背面(2b)至少部分地被具有足以容许空穴输送通过它的厚度的钝化层(4)覆盖，且‑基底(2)的背面2b)上的钝化层(4)至少部分地被导电聚合物层(5)覆盖。本发明还涉及制备太阳能电池的方法，可通过该方法得到的太阳能电池，和太阳能模块。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 面上 导电 聚合物 si 界面 | ||
【主权项】：
包含p‑型硅或n‑型硅基底(2)的太阳能电池(1)，其中基底(2)包含：‑正面(2a)，其表面至少部分地被至少一个钝化层(3)覆盖，和‑背面(2b)，其中：‑基底(2)的背面(2b)至少部分地被具有足以容许空穴输送通过它的厚度的钝化层(4)覆盖，且‑基底(2)的背面(2b)上的钝化层(4)至少部分地被导电聚合物层(5)覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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