[发明专利]第13族氮化物晶体的制造方法和第13族氮化物晶体有效
| 申请号： | 201580014199.6 | 申请日： | 2015-02-19 |
| 公开（公告）号： | CN106103817B | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 林昌弘;佐藤隆;三好直哉;和田纯一;皿山正二 | 申请（专利权）人： | 株式会社理光 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B19/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 宋莉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在第13族氮化物晶体的制造方法中，将由第13族氮化物晶体制成的晶种布置于包含碱金属和第13族元素的混合熔体中，且向所述混合熔体供应氮气以在所述晶种的主面上生长第13族氮化物晶体。所述晶种通过气相外延而制造。与容纳所述混合熔体的反应容器中的所述混合熔体接触的接触部件的至少一部分由Al2O3制成。在所述晶种和所生长的13族氮化物晶体之间形成具有其波长比所生长的第13族氮化物晶体的光致发光发射峰的波长要长的光致发光发射峰的界面层。 | ||
| 搜索关键词： | 13 氮化物 晶体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.第13族氮化物晶体的制造方法，在所述方法中，将由第13族氮化物晶体制成的晶种布置于包含碱金属和第13族元素的混合熔体中，且向所述混合熔体供应氮气以在所述晶种的主面上生长第13族氮化物晶体，其中所述晶种通过气相外延而制造，与容纳所述混合熔体的反应容器中的所述混合熔体接触的接触部件的至少一部分由Al2O3制成，在所述晶种和所生长的第13族氮化物晶体之间形成具有如下光致发光发射峰的界面层：其波长比所生长的第13族氮化物晶体的光致发光发射峰的波长要长，所述接触部件的Si浓度低于100ppm，且Al2O3的纯度等于或高于99.9％。
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