[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法有效
申请号: | 201580014634.5 | 申请日: | 2015-03-06 |
公开(公告)号: | CN106133880B | 公开(公告)日: | 2019-03-22 |
发明(设计)人: | 吉田武司;高桥弘明;井上一树 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/027;H01L21/306 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 基板处理装置(1)具有:腔室主体(22),具有上部开口(222);腔室盖部(23),具有下部开口(232);遮蔽板(51),配置在腔室盖部的盖内部空间(231)。通过由腔室盖部覆盖腔室主体的上部开口,形成腔室(21)。在盖内部空间配置有向基板(9)喷出处理液的作为喷出部的扫描喷嘴(186)。头旋转机构(863)将喷出部有选择地配置在下部开口的上方的喷出位置和相对于下部开口在径向上离开的待机位置。在盖内部空间,进行非活性气体的供给以及内部的气体的排出。在向基板供给处理液时,喷出部配置在喷出位置,在未向基板供给处理液的期间对喷出部进行干燥时,喷出部配置在待机位置,并通过遮蔽板堵塞下部开口。其结果,能够高效地干燥喷出部。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,对基板进行处理,其特征在于,具有:腔室盖部,具有下部开口,并形成径向的大小大于所述下部开口的径向的大小的盖内部空间;腔室主体,形成主体内部空间,并且具有与所述下部开口在上下方向上相向的上部开口,通过由所述腔室盖部覆盖所述上部开口,该腔室主体与所述腔室盖部一起形成腔室;基板保持部,在所述腔室内将基板保持为水平状态;喷出部,配置在所述盖内部空间,向所述基板的上表面喷出处理液;喷出部移动机构,将所述喷出部有选择地配置在所述下部开口的上方的喷出位置和在所述盖内部空间内相对于所述下部开口在所述径向上离开的待机位置;气体供给部,向所述盖内部空间供给气体;排气部,排出所述盖内部空间内的气体;控制部,通过控制所述喷出部移动机构,在从所述喷出部向所述基板供给处理液时,将所述喷出部配置在所述喷出位置,在未从所述喷出部向所述基板供给处理液的期间对所述喷出部进行干燥时,将所述喷出部配置在所述待机位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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