[发明专利]用于晶圆级高精度电压测量的等阻探头分布有效

专利信息
申请号: 201580014717.4 申请日: 2015-03-18
公开(公告)号: CN106104782B 公开(公告)日: 2020-10-16
发明(设计)人: 杰克·E·魏默 申请(专利权)人: 泰拉丁公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 戚传江;金洁
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种用于半导体器件的精确的大电流参数测试的测试系统及测试技术。在操作中,所述测试系统向所述半导体器件提供电流,并测量所述器件上的电压。所述测试系统可使用测得电压来计算所述大电流半导体器件的导通电阻。在一种技术中,多个供电针在多个位置接触一个焊盘,所述位置将相对于接触同一焊盘的一个或多个感测针提供等阻通道。在另一种技术中,穿过所述供电针的电流被调节成使得所述被测器件的所述焊盘处的电压表示所述器件的导通电阻,并且独立于所述供电针的接触电阻。另一种技术使得在供电针的接触电阻超过阈值时生成报警指示。
搜索关键词: 用于 晶圆级 高精度 电压 测量 探头 分布
【主权项】:
一种测试半导体器件的方法,所述方法包括:使所述半导体器件的第一焊盘与多个探针接触,所述多个探针包括多个第一针和至少一个第二针,并且所述多个针包括尖端,其中所述多个第一针的尖端被放置为在所述第一针的尖端与所述至少一个第二针的最近的针尖端之间提供等阻通道;通过所述多个第一针提供电流;以及在所述至少一个第二针处测量电压。
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