[发明专利]与作为蚀刻停止的SiGeC层接合的半导体结构在审
| 申请号： | 201580015187.5 | 申请日： | 2015-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN106104749A | 公开（公告）日： | 2016-11-09 |
| 发明（设计）人： | S·A·法内利 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L27/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 唐杰敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 用接合在一起的第一晶片(例如，操作晶片)和第二晶片(例如，块状硅晶片)来形成半导体结构。第二晶片包括有源层，该有源层在一些实施例中是在这两个晶片接合在一起之前形成的。通过将SiGeC层用作蚀刻停止，在有源层的与第一晶片相对的一侧上将基板从第二晶片移除。在一些实施例中，SiGeC层随后被移除，但是在其他某些实施例中，SiGeC层保留作为应变引发层。 | ||
| 搜索关键词： | 作为 蚀刻 停止 sigec 接合 半导体 结构 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：形成具有第一接合材料的第一晶片；形成具有基板、SiGeC层、有源层和第二接合材料的第二晶片，所述有源层位于所述SiGeC层与所述第二接合材料之间；在所述第一接合材料和第二接合材料处，将所述第二晶片接合到所述第一晶片；以及通过将所述SiGeC层用作蚀刻停止来移除所述基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于高通股份有限公司，未经高通股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580015187.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
