[发明专利]厚膜电阻体及其制造方法

摘要

本发明的目的在于提供厚膜电阻体，其从导电性成分以及玻璃排除了有害的铅成分，而且在宽的电阻域的电阻值、TCR特性、电流杂音特性、耐电压特性等的特性中，具备与现有同等或更高的优异特性。本发明是包括电阻组合物的烧成物的厚膜电阻体，其包含含有二酸化钌的钌系导电性粒子和实质上不含铅成分的玻璃成分，具有100Ω/□～10MΩ/□的范围内的电阻值，电阻温度系数为±100ppm/℃以下。 1

主权项

1.厚膜电阻体，其为包括电阻组合物的烧成物的厚膜电阻体，

上述厚膜电阻体包含含有50质量％以上的二氧化钌的钌系导电性粒子和实质上不含铅成分的玻璃成分，

上述玻璃成分至少包含第1玻璃成分、以及比该第1玻璃成分的玻璃化转变点高的第2玻璃成分，

所述厚膜电阻体具备：相对于上述第1玻璃成分的基质，上述第2玻璃成分以岛状散布的海岛结构，

上述厚膜电阻体的电阻值为100Ω/□～10MΩ/□的范围内，

上述厚膜电阻体的电阻温度系数为‑100ppm/℃以上且100ppm/℃以下。

2.权利要求1所述的厚膜电阻体，其具有1kΩ/□～10MΩ/□的范围内的电阻值。

3.权利要求2所述的厚膜电阻体，其具有10kΩ/□～10MΩ/□的范围内的电阻值。

4.权利要求3所述的厚膜电阻体，其具有100kΩ/□～10MΩ/□的范围内的电阻值。

5.权利要求4所述的厚膜电阻体，其具有1MΩ/□～10MΩ/□的范围内的电阻值。

6.权利要求1～5的任一项所述的厚膜电阻体，上述二氧化钌的一部分以附着、固定在上述第2玻璃成分的表面以及接近该表面的内部的状态存在。

7.权利要求1～5的任一项所述的厚膜电阻体，其中上述钌系导电性粒子是平均粒径D₅₀为0.01～0.2μm的粒子。