[发明专利]半导体装置

摘要

一种半导体装置，具备半导体基板(10)，该半导体基板具有漂移层(11)、形成于漂移层的表层部的基极层(12)、以及形成于漂移层之中的与基极层侧的相反侧的集电极层(21)及阴极层(22)；半导体基板之中的作为IGBT元件来动作的IGBT区域(1a)与作为二极管元件来动作的二极管区域(1b)交替地重复形成，在二极管区域的表层部形成有损伤区域(24)，IGBT区域与二极管区域通过集电极层与阴极层的边界被划分，在IGBT区域的表层部，在与二极管区域的边界侧的部分，沿着半导体基板的面方向形成有半导体基板的厚度以上的损伤区域，在比边界侧的部分靠内缘侧的部分没有形成所述损伤区域。

主权项

1.一种半导体装置，具备半导体基板(10)，该半导体基板具有：第1导电型的漂移层(11)；第2导电型的基极层(12)，形成于所述漂移层的表层部；以及第2导电型的集电极层(21)及第1导电型的阴极层(22)，形成于所述漂移层之中的与所述基极层侧的相反侧；在将所述半导体基板之中的作为IGBT元件来动作的区域设为IGBT区域(1a)，并且将作为二极管元件来动作的区域设为二极管区域(1b)时，所述IGBT区域与所述二极管区域交替地重复形成，在所述半导体基板的所述二极管区域的表层部形成有损伤区域(24)；所述半导体装置的特征在于，所述IGBT区域与所述二极管区域通过所述集电极层与所述阴极层的边界被划分，在所述IGBT区域的表层部之中的、靠近与所述二极管区域的边界的部分，形成有平行于所述半导体基板且沿着所述IGBT区域与所述二极管区域的排列方向的长度为所述半导体基板的厚度以上的损伤区域，在所述IGBT区域的表层部之中的比形成有该损伤区域的部分靠内缘侧的部分具有没有形成所述损伤区域的区域，对于所述IGBT区域而言，在设沿着所述IGBT区域与所述二极管区域的排列方向的长度为宽度的情况下，所述IGBT区域的没有形成所述损伤区域的部分的宽度相对于所述IGBT区域的整体的宽度的比率为1/2以上。