[发明专利]具有多阴极的沉积系统及其制造方法有效
| 申请号： | 201580015595.0 | 申请日： | 2015-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN106133877B | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 阿纳塔·K·苏比玛尼;迪帕克·贾达夫;阿希什·戈埃尔;寒冰·吴;普拉沙斯·科斯努;慈航·清 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国;赵静<国际申请>=PCT/US2 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种沉积系统及操作所述沉积系统的方法，所述沉积系统包括：阴极；阴极下方的护罩；阴极下方的旋转屏蔽件，用于经由护罩及经由旋转屏蔽件的屏蔽孔暴露阴极；和旋转基座，用于产生材料以在旋转基座之上形成载体，其中所述材料具有小于材料厚度的1％的非均匀性限制，且所述阴极在阴极与载体之间具有一角度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阴极 沉积 系统 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种操作腔室的方法，所述方法包括以下步骤：/n调整阴极；/n旋转所述阴极下方的旋转屏蔽件，以便经由所述阴极下方的护罩及经由所述旋转屏蔽件的屏蔽孔暴露所述阴极，其中所述护罩具有比所述阴极的阴极长度更大的护罩长度；和/n旋转旋转基座，以便产生一材料以在所述旋转基座之上形成载体，其中所述材料具有小于所述材料的厚度的1％的非均匀性限制且所述阴极在所述阴极与所述载体之间具有一角度。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
