[发明专利]用于产生具有可编程延迟的动态随机存取存储器(DRAM)命令的存储器物理层接口逻辑有效
| 申请号： | 201580015602.7 | 申请日： | 2015-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN106104698B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 格伦·A·迪尔思;格里·塔尔博特 | 申请（专利权）人： | 超威半导体公司 |
| 主分类号： | G11C11/4093 | 分类号： | G11C11/4093;G11C11/4096;G11C7/10 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;张静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 与存储器物理层接口(PHY)(140、205)联合实施的多个寄存器(222)可用于存储指示一个或多个命令和一个或多个延迟(415、515、535、540)的一个或多个指令字(300)。实施于所述存储器PHY中的训练引擎(220)可产生全速可编程命令(410、420、430、510、520、525)序列，以便递送到外部存储器(210)，且基于所述一个或多个延迟来延迟所述命令。可基于所述一个或多个指令字而产生所述全速可编程命令序列。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 产生 具有 可编程 延迟 动态 随机存取存储器 dram 命令 存储器 物理层 接口 逻辑 | ||
【主权项】：
一种设备，其包括：存储器物理层接口(PHY)(140、205)，其用于耦合到外部存储器(210)；多个寄存器(222)，其与所述存储器PHY联合实施，所述多个寄存器用于存储指示至少一个命令(410、420、430、510、520、525)和至少一个延迟(415、515、535、540)的至少一个指令字(300)；以及第一训练引擎(220)，其实施于所述存储器PHY中以便基于所述至少一个指令字而产生全速可编程命令(420、430、525)序列以便递送到所述外部存储器，且基于所述至少一个延迟来延迟所述命令。
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