[发明专利]驱动装置

摘要

一种驱动装置，具备控制功率开关元件的栅极电流并进行断开动作的断侧电路(120)。所述断侧电路具有：主MOS晶体管(Tr1)；感测MOS晶体管(Tr2)，规定所述主MOS晶体管的漏极电流；以及感测电流控制电路，将所述感测MOS晶体管的漏极电流控制为固定。所述感测电流控制电路具有：参照电源(123)；基准电阻(122)；运算放大器(121)，以所述基准电阻与所述感测MOS晶体管之间的电位接近于所述参照电位的方式，使输出施加于所述感测MOS晶体管的栅极。所述感测电流控制电路流动根据所述基准电阻的电阻值和所述参照电位决定的电流，作为所述感测MOS晶体管的漏极电流。

主权项

1.一种驱动装置，对功率开关元件(200)的导通断开进行控制，具备：断侧电路(120)，控制所述功率开关元件的栅极电流并进行断开动作，所述断侧电路具有：主MOS晶体管(Tr1)，作为输出晶体管；感测MOS晶体管(Tr2)，栅极与所述主MOS晶体管的栅极共通，相对于所述主MOS晶体管构成电流镜，从而规定所述主MOS晶体管的漏极电流；以及感测电流控制电路，将所述感测MOS晶体管的漏极电流控制为固定，所述感测电流控制电路具有：参照电源(123)，产生参照电位；基准电阻(122)，与所述感测MOS晶体管串联连接；以及运算放大器(121)，以所述基准电阻与所述感测MOS晶体管之间的电位接近于所述参照电位的方式，使输出施加于所述感测MOS晶体管的栅极，所述感测电流控制电路流动根据所述基准电阻的电阻值和所述参照电位决定的电流，作为所述感测MOS晶体管的漏极电流，所述断侧电路具有：驱动能力切换电源(125)，与所述运算放大器并联连接至所述感测MOS晶体管的栅极，产生与所述运算放大器的输出不同的电位；以及驱动能力切换开关(SW1、SW2)，能够在所述运算放大器与所述驱动能力切换电源之间切换向所述主MOS晶体管的栅极施加的电压。