[发明专利]使用肋形波导的电光调制器有效
申请号: | 201580016125.6 | 申请日: | 2015-01-23 |
公开(公告)号: | CN106133585B | 公开(公告)日: | 2019-05-10 |
发明(设计)人: | 唐纳德·亚当斯;普拉卡什·约托斯卡;威普库马·帕特尔;马克·韦伯斯特 | 申请(专利权)人: | 思科技术公司 |
主分类号: | G02F1/025 | 分类号: | G02F1/025 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 林强 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 一种光调制器可包括下波导、上波导以及设置在这两者之间的电介质层。当在下波导和上波导之间产生电压电势时,这些层形成了硅‑绝缘体‑硅电容(也被称为SISCAP)导,该硅‑绝缘体‑硅电容导提供了对穿过调制器的光信号的高效、高速光学调制。在一个实施例中,至少一个波导包括各自在电荷调制区处对齐的脊部,脊部有助于将光学模式横向地(例如,在宽度方向上)限制在光学调制器中。在另一实施例中,脊部可在上波导和下波导二者上成形。这些脊部可在垂直方向(例如,厚度方向)上对齐以使脊部重叠,这样可通过将光学模式在电荷调制区中居中进一步提高光学效率。 | ||
搜索关键词: | 使用 波导 电光 调制器 | ||
【主权项】:
1.一种光学设备,包括:第一硅波导,该第一硅波导布置在电介质基层上,所述第一硅波导包括在光路径方向延伸的第一脊;电介质层,该电介质层布置在所述第一脊上,所述电介质层的下表面与所述第一脊的上表面接触;第二硅波导,该第二硅波导布置在所述电介质层上,所述第二硅波导具有第一表面和第二表面,所述第一表面与所述电介质层的上表面接触,并且所述第二表面与所述第一表面相对,所述第二表面上包括有第二脊,所述第二脊在所述光路径方向延伸,其中该第二脊远离所述电介质层的上表面,至少部分地与所述电介质层和所述第一脊二者重叠,并且其中,所述第一硅波导被掺杂第一导电类型以及所述第二硅波导被掺杂不同的第二导电类型;第一电接触,该第一电接触被耦合到所述第一硅波导;以及第二电接触,该第二电接触被耦合到所述第二硅波导。
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