[发明专利]用于数据存储装置的非易失性半导体存储器的寿命延长

摘要

用于数据存储装置(DSD)的非易失性半导体存储器(NVSM)的寿命延长包括基于先前写入NVSM的数据量以及先前被请求写入DSD的数据量和先前被请求写入NVSM的数据量中的至少一个来确定写入放大率因子。基于该确定的写入放大率因子，将待写入NVSM的数据量的至少一部分定向或重新定向至磁盘。

主权项

一种数据存储装置即DSD，包括：磁盘，其用于存储数据；非易失性半导体存储器即NVSM，其用于存储数据；以及控制器，其被配置用于：从主机接收写请求，以便将数据写入所述DSD，所述数据包括被请求写入所述NVSM的数据；基于先前写入所述NVSM的数据量和以下项中的至少一个来确定写入放大率因子：先前被请求写入所述DSD的数据量，和先前被请求写入所述NVSM的数据量；以及基于确定的写入放大率因子，重新定向被请求写入所述NVSM的数据的至少一部分至所述磁盘。