[发明专利]制造选择性掺杂光伏电池的方法

摘要

本发明涉及制造选择性掺杂光伏电池的方法，包括：提供掺杂第一导电型的半导体衬底；在衬底中形成具有第一浓度掺杂元素的第一掺杂区域；通过将掺杂元素离子注入到衬底中，形成最大尺寸小于一毫米的至少一组对准图案以及与第一区域相邻的第二区域，第二区域具有浓度大于第一浓度的第二浓度的掺杂元素；对衬底进行热处理，从而激活掺杂元素并在对准图案、第一区域和第二区域的上方的衬底表面上形成氧化层，第二浓度和热处理条件为使得位于对准图案上方的氧化层的厚度比位于和对准图案相邻的衬底区域上方的氧化层的厚度大至少10nm；在氧化层上沉积抗反射层；通过丝网将电极沉积到抗反射层上，电极与第二区域相对，丝网利用对准图案相对于衬底定位。 1

主权项

1.一种制造光伏电池的方法，该方法包括以下步骤：‑提供掺杂了第一导电型的半导体衬底(12)；‑在所述衬底中形成第一掺杂区域(14，22)，所述第一掺杂区域延伸到所述衬底的表面(12a，12b)并具有第一浓度(C1)的掺杂元素；‑通过将掺杂元素离子注入通过所述衬底的表面(12a，12b)，在所述衬底中形成至少一组对准图案(34)以及与所述第一掺杂区域(14，22)相邻的第二区域(14’，24)，所述至少一组对准图案(34)的所有尺寸小于一毫米，所述至少一组对准图案和所述第二区域具有第二浓度(C2)的掺杂元素，所述第二浓度大于所述第一浓度(C1)；‑对所述衬底进行热处理，从而激活所述掺杂元素并在所述对准图案(34)、第一区域(14，22)和所述第二区域(14’，24)的上方的所述衬底的表面(12a，12b)上形成氧化层(36a，36b)，所述第二浓度(C2)和热处理条件选择为使得位于所述对准图案(34)上方的所述氧化层(36a)的厚度比位于和所述对准图案(34)相邻的衬底区域上方的所述氧化层的厚度大至少10nm；‑在所述氧化层上沉积抗反射层(18，18’)；以及‑通过丝网(40)将电极(16a，26b)沉积到所述抗反射层上，所述电极与所述第二区域(14’，24)相对，所述丝网利用所述对准图案(34)相对于所述衬底(12)定位。