[发明专利]半导体元件及绝缘层形成用组成物有效
| 申请号： | 201580016286.5 | 申请日： | 2015-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN106133886B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 永田裕三;泷泽裕雄;土村智孝;鹤田拓也 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/312 | 分类号： | H01L21/312;C08F212/00;C08F220/10;H01L21/283;H01L29/786;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 庞东成;张志楠 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： |
本发明提供一种半导体元件及绝缘层形成用组成物，所述半导体元件具有半导体层、及与该半导体层相邻的绝缘层，在所述半导体元件中，所述绝缘层由高分子化合物的交联物形成，该高分子化合物具有以下述通式(IA)表示的重复单元(IA)和以下述通式(IB)表示的重复单元(IB)。通式(IA)中，R1a表示氢原子、卤原子或烷基。L1a及L2a分别独立地表示单键或连结基。X表示交联性基。m2a表示1～5的整数，当m2a为2以上时，m2a个X可以彼此相同也可以互不相同。m1a表示1～5的整数，当m1a为2以上时，m1a个(‑L2a‑(X)m2a)可以彼此相同也可以互不相同。通式(IB)中，R1b表示氢原子、卤原子或烷基。L1b表示单键或连结基，Ar1b表示芳香族环。m1b表示1～5的整数。 |
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| 搜索关键词： | 半导体 元件 绝缘 形成 组成 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其具有半导体层、及与该半导体层相邻的栅绝缘层，在所述半导体元件中，所述栅绝缘层由高分子化合物的交联物形成，该高分子化合物具有以下述通式(IA)表示的重复单元(IA)和以下述通式(IB)表示的重复单元(IB)：[化学式1]![]()
通式(IA)中，R1a表示氢原子、卤原子或烷基；L1a及L2a分别独立地表示单键或连结基；X表示交联性基；m2a表示1～5的整数，当m2a为2以上时，m2a个X可以彼此相同也可以互不相同；m1a表示1～5的整数，当m1a为2以上时，m1a个(‑L2a‑(X)m2a)可以彼此相同也可以互不相同；通式(IB)中，R1b表示氢原子、卤原子或烷基；L1b表示单键或连结基，Ar1b表示芳香族环；m1b表示1～5的整数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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