[发明专利]半导体器件的制造方法及半导体器件在审
| 申请号： | 201580016327.0 | 申请日： | 2015-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN106133876A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | 谷垣勇刚;藤原健典 | 申请（专利权）人： | 东丽株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/023;G03F7/075;G03F7/42;H01L21/304;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李国卿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体器件的制造方法，其包括下述工序：在基板1上得到含有聚硅氧烷的组合物的图案2a的工序；和在所述基板上形成离子杂质区域6的工序，所述半导体器件的制造方法的特征在于，在所述离子杂质区域的形成工序后，还包括于300～1,500℃对所述图案进行烧成的工序。由此，能够在半导体基板中形成离子杂质区域后将含有聚硅氧烷的组合物的图案2a的固化膜无残渣地容易地除去，因此，能够提高半导体器件制造中的成品率、缩短节拍时间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
半导体器件的制造方法，其包括下述工序：在基板上得到含有聚硅氧烷的组合物的图案的工序；在所述基板上形成离子杂质区域的工序，所述半导体器件的制造方法的特征在于，在所述离子杂质区域的形成工序后，还包括于300～1,500℃对所述图案进行烧成的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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