[发明专利]从微观结构选择性地蚀刻金属层的方法在审
| 申请号： | 201580016330.2 | 申请日： | 2015-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN106537300A | 公开（公告）日： | 2017-03-22 |
| 发明（设计）人： | 穆图·塞巴斯蒂安 | 申请（专利权）人： | 3M创新有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/041 | 分类号： | G06F3/041 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 王静,丁业平 |
| 地址： | 美国明*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及蚀刻微观结构的金属层的一部分的方法，该微观结构由设置在透明导电氧化物(TCO)层上的金属层构成，并且具体地涉及选择性地蚀刻金属层的部分并且不蚀刻TCO层。 | ||
| 搜索关键词： | 微观 结构 选择性 蚀刻 金属 方法 | ||
【主权项】：
一种选择性地蚀刻微观结构的金属层的一部分的方法，其中所述微观结构由设置在透明导电氧化物(TCO)层上的所述金属层构成，所述方法包括使所述微观结构与蚀刻剂制剂接触，所述蚀刻剂制剂包含卤化铜与胺和/或铵化合物的溶液的混合物。
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