[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580016634.9 | 申请日： | 2015-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN106133915B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 原田祐一;星保幸;木下明将;大西泰彦 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨敏;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括：N型的碳化硅基板(1)；N型碳化硅层(2)，形成在N型碳化硅基板(1)的正面侧；P型区域(3)，选择性地形成在N型碳化硅层(2)的表面层；N型源区域(4)，形成在P型区域(3)内；P型接触区域(5)，形成在P型区域(3)内；栅绝缘膜(6)，形成在从N型源区域(4)经过P型区域(3)而到达N型碳化硅层(2)的区域上；栅电极(7)，形成在栅绝缘膜(6)上；层间绝缘膜(8)，覆盖栅电极(7)；以及第一源电极(9)，以电连接到P型接触区域(5)和N型源区域(4)的表面的方式形成，覆盖栅电极(7)的层间绝缘膜(8)的端部具有规定角度的倾斜。通过这样的设置，可以改善形成于正面侧的金属电极的覆盖性，可以抑制特性变动并提高可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电型碳化硅基板；低浓度的第一导电型碳化硅层，形成在所述第一导电型碳化硅基板的正面侧；第二导电型区域，选择性地形成在所述第一导电型碳化硅层的表面层；第一导电型半导体区域，形成在所述第二导电型区域内；栅绝缘膜，以与所述第二导电型区域的位于所述第一导电型碳化硅层和所述第一导电型半导体区域之间的区域接触的方式设置；栅电极，隔着所述绝缘膜而设置在与所述第二导电型区域相反的一侧；层间绝缘膜，覆盖所述栅电极；以及源电极，以电连接到所述第二导电型区域和所述第一导电型半导体区域的表面的方式形成，覆盖所述栅电极的所述层间绝缘膜的端部具有规定角度的倾斜。
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