[发明专利]硼掺杂的N型硅靶材在审
| 申请号： | 201580016650.8 | 申请日： | 2015-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN106133186A | 公开（公告）日： | 2016-11-16 |
| 发明（设计）人： | E.Y.伊万诺夫;Y.袁 | 申请（专利权）人： | 东曹SMD有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 沈雪 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及溅射靶材及其制备方法。该靶材包括B掺杂的n型Si。该靶材可从由CZ方法制备的单晶硼掺杂的p型Si锭制备。沿晶体长度对电阻率进行测量，并且可垂直于锭中心轴在具有约1‑20ohm.cm电阻率的位置处切割出坯件。该坯件随后形成适用于PVD系统中的溅射靶材的可接受的形状。在锭或坯件上没有进行消耗供体的退火。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 型硅靶材 | ||
【主权项】：
具有约0.01‑700ohm.cm电阻率的包括B掺杂的n型Si的溅射靶材。
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