[发明专利]在铝等离子体装备部件上生成紧密的氧化铝钝化层有效
| 申请号： | 201580016760.4 | 申请日： | 2015-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN106165069B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | S·J·金;L·卡琳塔;Y·帕里克;A·卡达姆;P·S·古拉迪雅;B·塔库尔;D·卢博米尔斯基 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
用于在铝部件上生成紧密的氧化铝钝化层的工艺包括以下步骤：在去离子水中冲洗部件达至少1分钟；干燥此部件达至少1分钟；以及在低于10℃的温度下，将此部件暴露于浓硝酸达1至30分钟。所述工艺也包括以下步骤：在去离子水中冲洗部件达至少1分钟；干燥此部件达至少1分钟；以及将此部件暴露于NH |
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| 搜索关键词： | 等离子体 装备 部件 生成 紧密 氧化铝 钝化 | ||
【主权项】：
一种用于在铝部件上生成紧密的氧化铝钝化层的工艺，所述工艺包含以下步骤：在低于10℃的温度下，将所述铝部件暴露于具有至少30％的浓度的硝酸(HNO3)达1分钟与30分钟之间的时间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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